Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > FDN359BN
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
4304532

FDN359BN

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
3000+
$0.146
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    FDN359BN
  • Hersteller / Marke
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT3
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1.FDN359BN.pdf
    2.FDN359BN.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    SuperSOT-3
  • Serie
    PowerTrench®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    46 mOhm @ 2.7A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    500mW (Ta)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Andere Namen
    FDN359BN-ND
    FDN359BN_F095
    FDN359BN_F095TR
    FDN359BN_F095TR-ND
    FDN359BNF095
    FDN359BNFSTR
    FDN359BNFSTR-ND
    FDN359BNOSTR
    FDN359BNTR
    FDN359BNTR-ND
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    42 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    650pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    7nC @ 5V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    30V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 30V 2.7A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SuperSOT-3
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    2.7A (Ta)

Anthropic erhält eine weitere Investition von 4 Milliarden...

2024/11/23

SEMI: Der Umsatz von IC im dritten Quartal um 12%, das ...

2024/11/22

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

2024/11/21

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

2024/11/20

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

2024/11/18

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

2024/11/17

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

2024/11/15

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

2024/11/14

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

2024/11/13
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "FDN359BN" -Einziper.
FDN5630

FDN5630

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 1.7A SSOT3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDN359AN

FDN359AN

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDN339AN_G

FDN339AN_G

Beschreibung: MOSFET N-CH

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDN352AP

FDN352AP

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 1.3A SSOT-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDN372S

FDN372S

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 2.6A SSOT-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDN5618P_G

FDN5618P_G

Beschreibung: INTEGRATED CIRCUIT

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDN339AN

FDN339AN

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 3A SSOT3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDN361AN

FDN361AN

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 1.8A SSOT-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDN5618P

FDN5618P

Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 1.25A SSOT3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDN5632N-F085

FDN5632N-F085

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 1.7A SSOT3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDN342P

FDN342P

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 2A SSOT-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDN537N

FDN537N

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 6.5A SSOT-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDN338P_G

FDN338P_G

Beschreibung: INTEGRATED CIRCUIT

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDN340P

FDN340P

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 2A SSOT3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDN357N

FDN357N

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 1.9A SSOT3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDN371N

FDN371N

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 2.5A SSOT-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDN361BN

FDN361BN

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 1.4A SSOT3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDN358P

FDN358P

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 1.5A SSOT3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDN360P

FDN360P

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 2A SSOT3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDN359BN

FDN359BN

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 2.7A 3SSOT

Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.
Folgen Sie uns.
Terms & BedingungenVerstoßpolitikFordern Sie ein Angebot anÜber unsKontaktiere unsSeitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.