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2821514FQH18N50V2-Bild.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FQH18N50V2

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    FQH18N50V2
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 500V 20A TO-247
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-247
  • Serie
    QFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    265 mOhm @ 10A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    277W (Tc)
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-247-3
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    3290pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    55nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    500V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 500V 20A (Tc) 277W (Tc) Through Hole TO-247
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    20A (Tc)
IPW60R160C6FKSA1

IPW60R160C6FKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 23.8A TO247

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
DMN65D8LQ-13

DMN65D8LQ-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
FQH140N10

FQH140N10

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 140A TO-247

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
NTB60N06LT4G

NTB60N06LT4G

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
FQH90N15

FQH90N15

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 90A TO-247

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
SQJ469EP-T1_GE3

SQJ469EP-T1_GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RQ1C075UNTR

RQ1C075UNTR

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 7.5A TSMT8

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
FQH70N10

FQH70N10

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 70A TO-247

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
IXFN66N85X

IXFN66N85X

Beschreibung: 850V/65A ULTRA JUNCTION X-CLASS

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
IRLU8259PBF

IRLU8259PBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 57A IPAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
FQH44N10

FQH44N10

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 48A TO-247

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
SI5447DC-T1-E3

SI5447DC-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 3.5A 1206-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RHK005N03T146

RHK005N03T146

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 500MA SOT-346

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
NVF2201NT1G

NVF2201NT1G

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 0.3A SC70

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
DMT6007LFG-7

DMT6007LFG-7

Beschreibung: MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
IPB180N04S400ATMA1

IPB180N04S400ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
HUFA76423P3

HUFA76423P3

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 35A TO-220AB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
FQH44N10-F133

FQH44N10-F133

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 48A TO-247

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
IRF8714PBF

IRF8714PBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
FQH8N100C

FQH8N100C

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig

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