FQH44N10

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Spezifikation

Artikelnummer

FQH44N10
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 100V 48A TO-247
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

FQH44N10.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-247
Serie

QFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

39 mOhm @ 24A, 10V
Verlustleistung (max)

180W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-247-3
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1800pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

62nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 100V 48A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-247
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

48A (Tc)

Das Folgende sind "FQH44N10" -Einziper.

BUK964R2-55B,118

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

Hersteller: Nexperia

vorrätig

RFQ

SFT1445-TL-H

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 17A TP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RFQ

FDB8870

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 23A TO-263AB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RFQ

FQH44N10-F133

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 48A TO-247

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RFQ

IXFR27N80Q

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 27A ISOPLUS247

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

RFQ

FQH70N10

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 70A TO-247

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RFQ

STD10NF10T4

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 13A DPAK

Hersteller: STMicroelectronics

vorrätig

RFQ

IPI08CNE8N G

Beschreibung: MOSFET N-CH 85V 95A TO262-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

RFQ

IXFH88N20Q

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 88A TO-247

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

RFQ

FQH8N100C

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RFQ

AOT7N60

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 7A TO-220

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

vorrätig

RFQ

AOTF286L

Beschreibung: MOSFET NCH 80V 56A TO220F

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

vorrätig

RFQ

FQH90N15

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 90A TO-247

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RFQ

IRF630NS

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

RFQ

SI4434DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

NTMFS5C423NLT3G

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 150A SO8FL

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RFQ

FQH18N50V2

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 20A TO-247

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RFQ

SKI03063

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 40A TO-263

Hersteller: Sanken Electric Co., Ltd.

vorrätig

RFQ

FQH140N10

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 140A TO-247

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RFQ

IRF9Z34STRLPBF

Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

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FQH44N10-F133

IXFR27N80Q

FQH70N10

STD10NF10T4

IPI08CNE8N G

IXFH88N20Q

FQH8N100C

AOT7N60

AOTF286L

FQH90N15

IRF630NS

SI4434DY-T1-GE3

NTMFS5C423NLT3G

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SKI03063

FQH140N10

IRF9Z34STRLPBF

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