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6133308FQH70N10-Bild.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FQH70N10

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    FQH70N10
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 100V 70A TO-247
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-247
  • Serie
    QFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    23 mOhm @ 35A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    214W (Tc)
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-247-3
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    3300pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    110nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    100V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 100V 70A (Tc) 214W (Tc) Through Hole TO-247
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    70A (Tc)
FQH44N10

FQH44N10

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 48A TO-247

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
FQH8N100C

FQH8N100C

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
FQH90N15

FQH90N15

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 90A TO-247

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
NVMFS5C450NLT3G

NVMFS5C450NLT3G

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 110A SO8FL

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
IPW65R125C7XKSA1

IPW65R125C7XKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V TO247

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
FQB34N20TM-AM002

FQB34N20TM-AM002

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
SIJ494DP-T1-GE3

SIJ494DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 36.8A SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
IRF7663TRPBF

IRF7663TRPBF

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 8.2A MICRO8

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
FQH140N10

FQH140N10

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 140A TO-247

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
2N7002CK,215

2N7002CK,215

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT-23

Hersteller: Nexperia
vorrätig
STD24N06LT4G-VF01

STD24N06LT4G-VF01

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 24A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
FQH18N50V2

FQH18N50V2

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 20A TO-247

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
HUFA75829D3S

HUFA75829D3S

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 18A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
BS870-7-F

BS870-7-F

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 0.25A SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
IRFR13N15DTRL

IRFR13N15DTRL

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 14A DPAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
PSMN2R8-80BS,118

PSMN2R8-80BS,118

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK

Hersteller: Nexperia
vorrätig
IRFR9N20DTRR

IRFR9N20DTRR

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
BUK9504-40A,127

BUK9504-40A,127

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB

Hersteller: Nexperia
vorrätig
FQH44N10-F133

FQH44N10-F133

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 48A TO-247

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
FQB9N25CTM

FQB9N25CTM

Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 8.8A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig

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