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AMI Semiconductor / ON Semiconductor

H11G1W

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Spezifikation

Artikelnummer

H11G1W
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

H11G1W.pdf
Spannung - Ausgabe (max)

100V
Spannung - Isolation

5300Vrms
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.3V
VCE Sätttigung (max)

1V
Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

5µs, 100µs
Supplier Device-Gehäuse

6-DIP
Serie

-
Aufstieg / Fallzeit (Typ)

-
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

6-DIP (0.400", 10.16mm)
Ausgabetyp

Darlington with Base
Betriebstemperatur

-55°C ~ 100°C
Anzahl der Kanäle

1
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabetyp

DC
detaillierte Beschreibung

Optoisolator Darlington with Base Output 5300Vrms 1 Channel 6-DIP
Gleichstrom-Übertragungsverhältnis (min)

1000% @ 10mA
Stromübertragungsverhältnis (max)

-
Strom - Ausgang / Kanal

-
Strom - DC Vorwärts (If) (Max)

60mA

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Das Folgende sind "H11G1W" -Einziper.

H11G1S

H11G1S

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

H11G2M_F132

H11G2M_F132

Beschreibung: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

H11G2M

Beschreibung: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

H11G1SM

Beschreibung: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6SMD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

H11G1SD

H11G1SD

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

H11G1300W

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

H11G23S

H11G23S

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

H11G1TVM

Beschreibung: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

H11G2

H11G2

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

H11G2S

H11G2S

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

H11G2300W

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

H11G1M

Beschreibung: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

H11G2SM

Beschreibung: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6SMD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

H11G13S

H11G13S

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

H11G1SR2M

Beschreibung: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6SMD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

H11G2300

H11G2300

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

H11G2SD

H11G2SD

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

H11G13SD

H11G13SD

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

H11G23SD

H11G23SD

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

H11G1SR2VM

Beschreibung: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6SMD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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