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H11G2S

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    H11G2S
  • Hersteller / Marke
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    H11G2S.pdf
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Ausgabe (max)
    80V
  • Spannung - Isolation
    5300Vrms
  • Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)
    1.3V
  • VCE Sätttigung (max)
    1V
  • Ein- / Ausschaltzeit (Typ)
    5µs, 100µs
  • Supplier Device-Gehäuse
    6-SMD
  • Serie
    -
  • Aufstieg / Fallzeit (Typ)
    -
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    6-SMD, Gull Wing
  • Ausgabetyp
    Darlington with Base
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 100°C
  • Anzahl der Kanäle
    1
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabetyp
    DC
  • detaillierte Beschreibung
    Optoisolator Darlington with Base Output 5300Vrms 1 Channel 6-SMD
  • Gleichstrom-Übertragungsverhältnis (min)
    1000% @ 10mA
  • Stromübertragungsverhältnis (max)
    -
  • Strom - Ausgang / Kanal
    -
  • Strom - DC Vorwärts (If) (Max)
    60mA

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H11G23S

H11G23S

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vorrätig
RFQ
H11G2SR2VM

H11G2SR2VM

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Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
H11G2300W

H11G2300W

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
H11G2SVM

H11G2SVM

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vorrätig
RFQ
H11G1SR2VM

H11G1SR2VM

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RFQ
H11G2300

H11G2300

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RFQ
H11G2TVM

H11G2TVM

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RFQ
H11G1W

H11G1W

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H11G2W

H11G2W

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H11G2

H11G2

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H11G23SD

H11G23SD

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H11G2M

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H11G2SM

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H11G2M_F132

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H11G2VM

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H11G3

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H11G3300

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H11G2SD

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H11G1TVM

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