Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

*Unternehmen
*Name
*Titel

*E-Mail-Addresse
*Telefonnummer

*Land
*Kontaktfenster
*Ereignisdatum

*Nachricht

Für Besucher von Electronica 2024

Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.

Zuhause > Produkte > Isolatoren > Optoisolatoren-Transistor, Photovoltaik-Ausgang > H11G23SD

RFQs/Bestellung (0)

Deutsch

Deutsch

5066825

H11G23SD

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Anfrage online

Spezifikation

Artikelnummer

H11G23SD
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

H11G23SD.pdf
Spannung - Ausgabe (max)

80V
Spannung - Isolation

5300Vrms
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.3V
VCE Sätttigung (max)

1V
Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

5µs, 100µs
Supplier Device-Gehäuse

6-SMD
Serie

-
Aufstieg / Fallzeit (Typ)

-
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

6-SMD, Gull Wing
Ausgabetyp

Darlington with Base
Betriebstemperatur

-55°C ~ 100°C
Anzahl der Kanäle

1
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabetyp

DC
detaillierte Beschreibung

Optoisolator Darlington with Base Output 5300Vrms 1 Channel 6-SMD
Gleichstrom-Übertragungsverhältnis (min)

1000% @ 10mA
Stromübertragungsverhältnis (max)

-
Strom - Ausgang / Kanal

-
Strom - DC Vorwärts (If) (Max)

60mA

relevante Nachrichten
Versand
Zahlungsmittel

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Südkorea plant, den Chip -Gesetz zu erlassen, um Trumps Be...

Versand

Zahlung

Das Folgende sind "H11G23SD" -Einziper.

H11G1SR2VM

Beschreibung: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6SMD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

H11G2300

H11G2300

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

H11G2SR2M

Beschreibung: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6SMD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

H11G2300W

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

H11G2SR2VM

Beschreibung: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6SMD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

H11G2VM

Beschreibung: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

H11G2

H11G2

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

H11G2S

H11G2S

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

H11G1TVM

Beschreibung: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

H11G1SM

Beschreibung: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6SMD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

H11G23S

H11G23S

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

H11G1SD

H11G1SD

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

H11G2TVM

Beschreibung: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

H11G2M_F132

H11G2M_F132

Beschreibung: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

H11G2M

Beschreibung: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

H11G2SVM

H11G2SVM

Beschreibung: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6SMD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

H11G2SM

Beschreibung: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6SMD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

H11G1W

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

H11G1SR2M

Beschreibung: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6SMD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

H11G2SD

H11G2SD

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.

Folgen Sie uns.

Terms & Bedingungen Verstoßpolitik Fordern Sie ein Angebot an Über uns Kontaktiere uns Seitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.