Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > NGTD9R120F2WP
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
4115587

NGTD9R120F2WP

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
518+
$0.579
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    NGTD9R120F2WP
  • Hersteller / Marke
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 1.2KV DIE
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    NGTD9R120F2WP.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    2.6V @ 15A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    1200V
  • Supplier Device-Gehäuse
    Die
  • Geschwindigkeit
    -
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    Die
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    175°C (Max)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    4 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 1200V Surface Mount Die
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    1µA @ 1200V
  • Strom - Richt (Io)
    -
  • Kapazität @ Vr, F
    -

Anthropic erhält eine weitere Investition von 4 Milliarden...

2024/11/23

SEMI: Der Umsatz von IC im dritten Quartal um 12%, das ...

2024/11/22

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

2024/11/21

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

2024/11/20

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

2024/11/18

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

2024/11/17

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

2024/11/15

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

2024/11/14

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

2024/11/13
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "NGTD9R120F2WP" -Einziper.
NGTG40N120FL2WG

NGTG40N120FL2WG

Beschreibung: IGBT 1200V 40A TO-247

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NGTG12N60TF1G

NGTG12N60TF1G

Beschreibung: IGBT 600V 24A 54W TO-3PF

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NGTG25N120FL2WG

NGTG25N120FL2WG

Beschreibung: IGBT 1200V 25A TO-247

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NGTD8R65F2SWK

NGTD8R65F2SWK

Beschreibung: DIODE GEN PURP 650V DIE

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NGTG50N60FLWG

NGTG50N60FLWG

Beschreibung: IGBT 600V 50A TO247

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NGTG30N60FWG

NGTG30N60FWG

Beschreibung: IGBT 600V 60A 167W TO247

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NGTD5R65F2SWK

NGTD5R65F2SWK

Beschreibung: DIODE GEN PURP 650V DIE

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NGTD30T120F2WP

NGTD30T120F2WP

Beschreibung: IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NGTD28T65F2WP

NGTD28T65F2WP

Beschreibung: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NGTD30T120F2SWK

NGTD30T120F2SWK

Beschreibung: IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NGTG15N120FL2WG

NGTG15N120FL2WG

Beschreibung: IGBT 1200V 15A TO-247

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NGTD8R65F2WP

NGTD8R65F2WP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 650V DIE

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NGTG30N60FLWG

NGTG30N60FLWG

Beschreibung: IGBT 600V 60A 250W TO247

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NGTG35N65FL2WG

NGTG35N65FL2WG

Beschreibung: IGBT 650V 60A 167W TO247

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NGTD9R120F2SWK

NGTD9R120F2SWK

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV DIE

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NGTG15N60S1EG

NGTG15N60S1EG

Beschreibung: IGBT 600V 30A 117W TO220-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NGTD23T120F2WP

NGTD23T120F2WP

Beschreibung: IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NGTD5R65F2WP

NGTD5R65F2WP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 650V DIE

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NGTG20N60L2TF1G

NGTG20N60L2TF1G

Beschreibung: IGBT 600V 40A 64W TO-3PF

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NGTD28T65F2SWK

NGTD28T65F2SWK

Beschreibung: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.
Folgen Sie uns.
Terms & BedingungenVerstoßpolitikFordern Sie ein Angebot anÜber unsKontaktiere unsSeitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.