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Halle C5 Stand 220

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4589617NGTG15N60S1EG-Bild.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NGTG15N60S1EG

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    NGTG15N60S1EG
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IGBT 600V 30A 117W TO220-3
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    600V
  • VCE (on) (Max) @ Vge, Ic
    1.7V @ 15V, 15A
  • Testbedingung
    400V, 15A, 22 Ohm, 15V
  • Td (ein / aus) bei 25 ° C
    65ns/170ns
  • Schaltenergie
    550µJ (on), 350µJ (off)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-220
  • Serie
    -
  • Leistung - max
    117W
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-220-3
  • Andere Namen
    NGTG15N60S1EG-ND
    NGTG15N60S1EGOS
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabetyp
    Standard
  • IGBT-Typ
    NPT
  • Gate-Ladung
    88nC
  • detaillierte Beschreibung
    IGBT NPT 600V 30A 117W Through Hole TO-220
  • Strom - Collector Pulsed (Icm)
    120A
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    30A
NGTD8R65F2WP

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 650V DIE

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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NGTD30T120F2SWK

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Beschreibung: IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE

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NGTG30N60FLWG

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Beschreibung: IGBT 600V 60A 250W TO247

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV DIE

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NGTG15N120FL2WG

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Beschreibung: IGBT 1200V 15A TO-247

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Beschreibung: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 650V DIE

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NGTG50N60FLWG

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Beschreibung: IGBT 600V 50A TO247

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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NGTD5R65F2SWK

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 650V DIE

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NGTG25N120FL2WG

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Beschreibung: IGBT 1200V 25A TO-247

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Beschreibung: IGBT 1200V 40A TO-247

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NGTG50N60FWG

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Beschreibung: IGBT 600V 100A 223W TO247

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NGTG12N60TF1G

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Beschreibung: IGBT 600V 24A 54W TO-3PF

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Beschreibung: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

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NGTG20N60L2TF1G

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Beschreibung: IGBT 600V 40A 64W TO-3PF

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 650V DIE

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV DIE

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Beschreibung: IGBT 650V 60A 167W TO247

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