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NGTG15N120FL2WG-Bild.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NGTG15N120FL2WG

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120+

$3.243

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Spezifikation

Artikelnummer

NGTG15N120FL2WG
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IGBT 1200V 15A TO-247
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

NGTG15N120FL2WG.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

1200V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 15A
Testbedingung

600V, 15A, 10 Ohm, 15V
Td (ein / aus) bei 25 ° C

64ns/128ns
Schaltenergie

1.2mJ (on), 370µJ (off)
Supplier Device-Gehäuse

TO-247-3
Serie

-
Leistung - max

294W
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-247-3
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

4 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabetyp

Standard
IGBT-Typ

Trench Field Stop
Gate-Ladung

109nC
detaillierte Beschreibung

IGBT Trench Field Stop 1200V 30A 294W Through Hole TO-247-3
Strom - Collector Pulsed (Icm)

60A
Strom - Kollektor (Ic) (max)

30A

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Das Folgende sind "NGTG15N120FL2WG" -Einziper.

NGTG30N60FLWG

Beschreibung: IGBT 600V 60A 250W TO247

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NGTD30T120F2WP

NGTD30T120F2WP

Beschreibung: IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NGTG12N60TF1G

Beschreibung: IGBT 600V 24A 54W TO-3PF

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NGTG30N60FWG

Beschreibung: IGBT 600V 60A 167W TO247

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NGTG40N120FL2WG

NGTG40N120FL2WG

Beschreibung: IGBT 1200V 40A TO-247

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NGTD5R65F2SWK

NGTD5R65F2SWK

Beschreibung: DIODE GEN PURP 650V DIE

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NGTD8R65F2SWK

NGTD8R65F2SWK

Beschreibung: DIODE GEN PURP 650V DIE

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NGTG20N60L2TF1G

NGTG20N60L2TF1G

Beschreibung: IGBT 600V 40A 64W TO-3PF

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NGTD28T65F2SWK

NGTD28T65F2SWK

Beschreibung: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NGTG50N60FLWG

Beschreibung: IGBT 600V 50A TO247

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NGTG35N65FL2WG

Beschreibung: IGBT 650V 60A 167W TO247

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NGTD9R120F2WP

NGTD9R120F2WP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV DIE

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NGTD5R65F2WP

NGTD5R65F2WP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 650V DIE

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NGTG50N60FWG

Beschreibung: IGBT 600V 100A 223W TO247

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NGTG15N60S1EG

Beschreibung: IGBT 600V 30A 117W TO220-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NGTG25N120FL2WG

NGTG25N120FL2WG

Beschreibung: IGBT 1200V 25A TO-247

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NGTD30T120F2SWK

NGTD30T120F2SWK

Beschreibung: IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NGTD28T65F2WP

NGTD28T65F2WP

Beschreibung: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NGTD8R65F2WP

NGTD8R65F2WP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 650V DIE

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NGTD9R120F2SWK

NGTD9R120F2SWK

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV DIE

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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