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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-bipolare (BJT)-Arrays, Pre-biased > NSBC123JDXV6T1

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NSBC123JDXV6T1-Bild.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NSBC123JDXV6T1

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Spezifikation

Artikelnummer

NSBC123JDXV6T1
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS nicht konform
Datenblätte

NSBC123JDXV6T1.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA
Transistor-Typ

2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Supplier Device-Gehäuse

SOT-563
Serie

-
Widerstand - Emitterbasis (R2)

47 kOhms
Widerstand - Basis (R1)

2.2 kOhms
Leistung - max

500mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

SOT-563, SOT-666
Andere Namen

NSBC123JDXV6TOSTR
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS non-compliant
Frequenz - Übergang

-
detaillierte Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

80 @ 5mA, 10V
Strom - Collector Cutoff (Max)

500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max)

100mA
Basisteilenummer

NSBC1*

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Das Folgende sind "NSBC123JDXV6T1" -Einziper.

NSBC123JPDXV6T1

NSBC123JPDXV6T1

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NSBC123TDP6T5G

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NSBC115EPDXV6T1G

NSBC115EPDXV6T1G

Beschreibung: SS SOT563 RSTR XSTR TR

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NSBC123JDP6T5G

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NSBC123EDXV6T1G

NSBC123EDXV6T1G

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NSBC115TDP6T5G

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NSBC123EDXV6T1

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NSBC115TPDP6T5G

NSBC115TPDP6T5G

Beschreibung: TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT963

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NSBC123EPDXV6T1G

NSBC123EPDXV6T1G

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NSBC115TF3T5G

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT1123

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NSBC123JPDP6T5G

NSBC123JPDP6T5G

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NSBC123JPDXV6T1G

NSBC123JPDXV6T1G

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NSBC123TF3T5G

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT1123

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NSBC123JDXV6T5

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NSBC123JPDXV6T5G

NSBC123JPDXV6T5G

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NSBC123TPDP6T5G

NSBC123TPDP6T5G

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT963

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NSBC123JF3T5G

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT1123

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NSBC123EPDXV6T1

NSBC123EPDXV6T1

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NSBC123EF3T5G

Beschreibung: TRANS PREBIAS DUAL NPN

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NSBC124EDP6T5G

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

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