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4596438NSBC123TPDP6T5G-Bild.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NSBC123TPDP6T5G

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  • Artikelnummer
    NSBC123TPDP6T5G
  • Hersteller / Marke
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT963
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    NSBC123TPDP6T5G.pdf
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    50V
  • VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
    250mV @ 1mA, 10mA
  • Transistor-Typ
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOT-963
  • Serie
    -
  • Widerstand - Emitterbasis (R2)
    -
  • Widerstand - Basis (R1)
    2.2 kOhms
  • Leistung - max
    339mW
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    SOT-963
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    14 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenz - Übergang
    -
  • detaillierte Beschreibung
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 339mW Surface Mount SOT-963
  • DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
    160 @ 5mA, 10V
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    500nA
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    100mA

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Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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NSBC123JPDXV6T1G

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Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

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NSBC123JF3T5G

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Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT1123

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

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NSBC124EPDXV6T5G

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Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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NSBC123JDP6T5G

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Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963

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NSBC123JDXV6T5

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NSBC124EPDXV6T1

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