NSBC123JPDXV6T1

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Spezifikation

Artikelnummer

NSBC123JPDXV6T1
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS nicht konform
Datenblätte

NSBC123JPDXV6T1.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA
Transistor-Typ

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Supplier Device-Gehäuse

SOT-563
Serie

-
Widerstand - Emitterbasis (R2)

47 kOhms
Widerstand - Basis (R1)

2.2 kOhms
Leistung - max

500mW
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

SOT-563, SOT-666
Andere Namen

NSBC123JPDXV6OSCT
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS non-compliant
Frequenz - Übergang

-
detaillierte Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

80 @ 5mA, 10V
Strom - Collector Cutoff (Max)

500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max)

100mA
Basisteilenummer

NSBC1*

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Zahlungsmittel

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Das Folgende sind "NSBC123JPDXV6T1" -Einziper.

NSBC124EDXV6T1G

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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