NTHD4102PT3G

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Spezifikation

Artikelnummer

NTHD4102PT3G
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFET
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

NTHD4102PT3G.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Prüfung

750pF @ 16V
Spannung - Durchschlag

ChipFET™
VGS (th) (Max) @ Id

80 mOhm @ 2.9A, 4.5V
Serie

-
RoHS Status

Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.9A
Leistung - max

1.1W
Polarisation

8-SMD, Flat Lead
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer

NTHD4102PT3G
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

8.6nC @ 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.5V @ 250µA
FET-Merkmal

2 P-Channel (Dual)
Expanded Beschreibung

Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.9A 1.1W Surface Mount ChipFET™
Drain-Source-Spannung (Vdss)

Logic Level Gate
Beschreibung

MOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFET
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

20V

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Versand
Zahlungsmittel

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Das Folgende sind "NTHD4102PT3G" -Einziper.

NTHD4401PT3G

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

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