NTHD4N02FT1G

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Spezifikation

Artikelnummer

NTHD4N02FT1G
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 20V 2.9A CHIPFET
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

NTHD4N02FT1G.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

ChipFET™
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

80 mOhm @ 2.9A, 4.5V
Verlustleistung (max)

910mW (Tj)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-SMD, Flat Lead
Andere Namen

NTHD4N02FT1GOS
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

300pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4nC @ 4.5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

Schottky Diode (Isolated)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 20V 2.9A (Tj) 910mW (Tj) Surface Mount ChipFET™
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

2.9A (Tj)

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Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Das Folgende sind "NTHD4N02FT1G" -Einziper.

NTHD4502NT1G

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 2.2A CHIPFET

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

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