NTHD4401PT3G

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Spezifikation

Artikelnummer

NTHD4401PT3G
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

NTHD4401PT3G.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse

ChipFET™
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

155 mOhm @ 2.1A, 4.5V
Leistung - max

1.1W
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

8-SMD, Flat Lead
Andere Namen

NTHD4401PT3GOSCT
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

300pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6nC @ 4.5V
Typ FET

2 P-Channel (Dual)
FET-Merkmal

Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.1A 1.1W Surface Mount ChipFET™
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

2.1A
Basisteilenummer

NTHD4401P

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Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Das Folgende sind "NTHD4401PT3G" -Einziper.

NTHD3133PFT3G

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

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