SI2377EDS-T1-GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SI2377EDS-T1-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI2377EDS-T1-GE3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

SOT-23-3 (TO-236)
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

61 mOhm @ 3.2A, 4.5V
Verlustleistung (max)

1.25W (Ta), 1.8W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Andere Namen

SI2377EDS-T1-GE3TR
SI2377EDST1GE3
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 8V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 20V 4.4A (Tc) 1.25W (Ta), 1.8W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

4.4A (Tc)

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Das Folgende sind "SI2377EDS-T1-GE3" -Einziper.

SI2400-FS

Beschreibung: IC ISOMODEM SYST-SIDE DAA 16SOIC

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

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