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399246NVJD4401NT1G-Bild.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NVJD4401NT1G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    NVJD4401NT1G
  • Hersteller / Marke
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    NVJD4401NT1G.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Supplier Device-Gehäuse
    SC-88/SC70-6/SOT-363
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    375 mOhm @ 630mA, 4.5V
  • Leistung - max
    270mW
  • Verpackung
    Original-Reel®
  • Verpackung / Gehäuse
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Andere Namen
    NVJD4401NT1GOSDKR
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    25 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    46pF @ 20V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    3nC @ 4.5V
  • Typ FET
    2 N-Channel (Dual)
  • FET-Merkmal
    Logic Level Gate
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    20V
  • detaillierte Beschreibung
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 630mA 270mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    630mA

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Das Folgende sind "NVJD4401NT1G" -Einziper.
APTM100A23STG

APTM100A23STG

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
IRL6372TRPBF

IRL6372TRPBF

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SOIC

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
CSD85301Q2

CSD85301Q2

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON

Hersteller: Luminary Micro / Texas Instruments
vorrätig
RFQ
NTQD6968NR2G

NTQD6968NR2G

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8TSSOP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDMS3616S

FDMS3616S

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 25V 16A/18A POWER56

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
ECH8659-TL-W

ECH8659-TL-W

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 7A ECH8

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
CMLDM5757 TR

CMLDM5757 TR

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 430MA SOT563

Hersteller: Central Semiconductor
vorrätig
RFQ
NVJS4151PT1G

NVJS4151PT1G

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 3.2A SC88

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
SI1539DL-T1-E3

SI1539DL-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V SC70-6

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ALD110908PAL

ALD110908PAL

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

Hersteller: Advanced Linear Devices, Inc.
vorrätig
RFQ
NVJS4405NT1G

NVJS4405NT1G

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 1.2A SC88

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
APTM10DDAM09T3G

APTM10DDAM09T3G

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
IRF7755TRPBF

IRF7755TRPBF

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 3.9A 8TSSOP

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
NVJD5121NT1G

NVJD5121NT1G

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
APTM20AM04FG

APTM20AM04FG

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 200V 372A SP6

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
EMH2407-S-TL-H

EMH2407-S-TL-H

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 6A EMH8

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDS6894A

FDS6894A

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 8A 8SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
AO8804

AO8804

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 8A 8TSSOP

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
vorrätig
RFQ
FDS6930B

FDS6930B

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NDC7002N

NDC7002N

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 50V 0.51A SSOT6

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
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