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3708790NVJD5121NT1G-Bild.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NVJD5121NT1G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    NVJD5121NT1G
  • Hersteller / Marke
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    NVJD5121NT1G.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Supplier Device-Gehäuse
    SC-88/SC70-6/SOT-363
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.6 Ohm @ 500mA, 10V
  • Leistung - max
    250mW
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Andere Namen
    NVJD5121NT1GOSCT
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    46 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    26pF @ 20V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    0.9nC @ 4.5V
  • Typ FET
    2 N-Channel (Dual)
  • FET-Merkmal
    Standard
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    60V
  • detaillierte Beschreibung
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 295mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    295mA

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Das Folgende sind "NVJD5121NT1G" -Einziper.
NVJD4401NT1G

NVJD4401NT1G

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
EFC6605R-TR

EFC6605R-TR

Beschreibung: MOSFET 2N-CH EFCP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
ZXMD63C03XTC

ZXMD63C03XTC

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 8MSOP

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
IRF7751TRPBF

IRF7751TRPBF

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8TSSOP

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
FCAB21520L1

FCAB21520L1

Beschreibung: MOSFET 2 N-CHANNEL 10SMD

Hersteller: Panasonic
vorrätig
RFQ
APTM20DUM08TG

APTM20DUM08TG

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 200V 208A SP4

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
AO6602L

AO6602L

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
vorrätig
RFQ
NVJS4405NT1G

NVJS4405NT1G

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 1.2A SC88

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
TMC1620-TO

TMC1620-TO

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 60V TO252-4

Hersteller: TRINAMIC Motion Control GmbH
vorrätig
RFQ
CSD87501LT

CSD87501LT

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 10PICOSTAR

Hersteller: Luminary Micro / Texas Instruments
vorrätig
RFQ
AOC2802_001

AOC2802_001

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 4WLCSP

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
vorrätig
RFQ
SQJ968EP-T1_GE3

SQJ968EP-T1_GE3

Beschreibung: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
MTM763200LBF

MTM763200LBF

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 20V WSMINI6-F1

Hersteller: Panasonic
vorrätig
RFQ
DMG8822UTS-13

DMG8822UTS-13

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 4.9A 8TSSOP

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
IRF8313PBF

IRF8313PBF

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
NVJS4151PT1G

NVJS4151PT1G

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 3.2A SC88

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDG6301N-F085

FDG6301N-F085

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC70-6

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
IRF7902TRPBF

IRF7902TRPBF

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 6.4A/9.7A 8SOIC

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IRF9956TR

IRF9956TR

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
DMC1030UFDBQ-7

DMC1030UFDBQ-7

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 12V 5.1A UDFN2020

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
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