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5171648NVJS4151PT1G-Bild.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NVJS4151PT1G

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  • Artikelnummer
    NVJS4151PT1G
  • Hersteller / Marke
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET P-CH 20V 3.2A SC88
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    NVJS4151PT1G.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1.2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    SC-88/SC70-6/SOT-363
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    67 mOhm @ 2.9A, 4.5V
  • Verlustleistung (max)
    1.2W (Ta)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Andere Namen
    NVJS4151PT1G-ND
    NVJS4151PT1GOSTR
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    44 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    850pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    10nC @ 4.5V
  • Typ FET
    P-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    1.5V, 4.5V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    20V
  • detaillierte Beschreibung
    P-Channel 20V 3.2A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    3.2A (Ta)

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Das Folgende sind "NVJS4151PT1G" -Einziper.
DMN2011UFDF-13

DMN2011UFDF-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 14.2A UDFN2020-6

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
IRF7426TR

IRF7426TR

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 8-SOIC

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
FDMS8672S

FDMS8672S

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 17A POWER56

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
DMN3110LCP3-7

DMN3110LCP3-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 3.2A X2DFN1006-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
2SK3662(F)

2SK3662(F)

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 35A TO220NIS

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
AO3404A_104

AO3404A_104

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V SOT23

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
vorrätig
RFQ
IPA60R190E6XKSA1

IPA60R190E6XKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
NVJD5121NT1G

NVJD5121NT1G

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FQP5N20L

FQP5N20L

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 4.5A TO-220

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDN338P

FDN338P

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 1.6A SSOT3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
RE1J002YNTCL

RE1J002YNTCL

Beschreibung: MOSFET N-CH 1.2V DRIVE EMT3FM

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RV2C001ZPT2L

RV2C001ZPT2L

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 0.1A VML1006

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
SPU30P06P

SPU30P06P

Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 30A IPAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
AOK40N30L

AOK40N30L

Beschreibung: MOSFET N-CH 300V 40A TO247

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
vorrätig
RFQ
IRFR3505TRPBF

IRFR3505TRPBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 30A DPAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
NVJS4405NT1G

NVJS4405NT1G

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 1.2A SC88

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NVJD4401NT1G

NVJD4401NT1G

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
RSS090P03FU7TB

RSS090P03FU7TB

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
STP24NM60N

STP24NM60N

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 17A TO220

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
SI4842BDY-T1-GE3

SI4842BDY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 28A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
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