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5357921NVMFS6B25NLT1G-Bild.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NVMFS6B25NLT1G

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  • Artikelnummer
    NVMFS6B25NLT1G
  • Hersteller / Marke
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 100V 8A 33A 5DFN
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    NVMFS6B25NLT1G.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±16V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    24 mOhm @ 20A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    3.6W (Ta), 62W (Tc)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    8-PowerTDFN, 5 Leads
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    42 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    905pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    13.5nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    100V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 100V 8A (Ta), 33A (Ta) 3.6W (Ta), 62W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    8A (Ta), 33A (Ta)

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Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 11A DFN5

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