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6194789NVTFS5124PLTWG-Bild.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NVTFS5124PLTWG

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  • Artikelnummer
    NVTFS5124PLTWG
  • Hersteller / Marke
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET P-CH 60V 8A U8FL
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    NVTFS5124PLTWG.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    8-WDFN (3.3x3.3)
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    260 mOhm @ 3A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    3W (Ta), 18W (Tc)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    8-PowerWDFN
  • Andere Namen
    NVTFS5124PLTWG-ND
    NVTFS5124PLTWGOSTR
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    50 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    250pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    6nC @ 10V
  • Typ FET
    P-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    60V
  • detaillierte Beschreibung
    P-Channel 60V 2.4A (Ta) 3W (Ta), 18W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    2.4A (Ta)

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Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 27A U8FL

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Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 40A 8WDFN

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Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 37A 8WDFN

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