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NVTFS5820NLTAG

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    NVTFS5820NLTAG
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  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 60V 37A 8WDFN
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    8-WDFN (3.3x3.3)
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    11.5 mOhm @ 8.7A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    3.2W (Ta), 21W (Tc)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    8-PowerWDFN
  • Andere Namen
    NVTFS5820NLTAG-ND
    NVTFS5820NLTAGOSTR
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    1462pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    28nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    60V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 60V 11A (Ta) 3.2W (Ta), 21W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    11A (Ta)
NVTFS5811NLTWG

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Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 40A 8WDFN

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NVTFS5820NLWFTAG

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