NVTFS5124PLWFTWG

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Spezifikation

Artikelnummer

NVTFS5124PLWFTWG
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 60V 8A U8FL
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

NVTFS5124PLWFTWG.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

8-WDFN (3.3x3.3)
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

260 mOhm @ 3A, 10V
Verlustleistung (max)

3W (Ta), 18W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-PowerWDFN
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

50 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

250pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6nC @ 10V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 60V 2.4A (Ta) 3W (Ta), 18W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

2.4A (Ta)

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2025/03/31

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Das Folgende sind "NVTFS5124PLWFTWG" -Einziper.

NVTFS5824NLTWG

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 20A U8FL

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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