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3072825SVD5865NLT4G-Bild.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

SVD5865NLT4G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    SVD5865NLT4G
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 60V 10A DPAK-4
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    DPAK
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    16 mOhm @ 19A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    3.1W (Ta), 71W (Tc)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Andere Namen
    NVD5865NLT4G-ND
    NVD5865NLT4GOSTR
    SVD5865NLT4G
    SVD5865NLT4GOSTR
    SVD5865NLT4GOSTR-ND
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    18 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    1400pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    29nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    60V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 60V 10A (Ta), 46A (Tc) 3.1W (Ta), 71W (Tc) Surface Mount DPAK
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    10A (Ta), 46A (Tc)
IRF3709

IRF3709

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 90A TO-220AB

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
NTD4865NT4G

NTD4865NT4G

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 8.5A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
IXFX120N25

IXFX120N25

Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 120A PLUS247

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
SI7356ADP-T1-GE3

SI7356ADP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SVD5867NLT4G

SVD5867NLT4G

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 18A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
IRFR3418TRLPBF

IRFR3418TRLPBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 70A DPAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB90R340C3ATMA1

IPB90R340C3ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 15A TO-263

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
STT4P3LLH6

STT4P3LLH6

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 4A SOT23-6

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
AOB11S65L

AOB11S65L

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 11A TO263

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
vorrätig
DMN53D0U-7

DMN53D0U-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 50V 0.3A SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
SVD2955T4G

SVD2955T4G

Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 12A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
SI4134DY-T1-GE3

SI4134DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
IPP50R299CPHKSA1

IPP50R299CPHKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 550V TO220-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
SVD14N03RT4G

SVD14N03RT4G

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 14A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
SVD5803NT4G

SVD5803NT4G

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 85A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
IPP60R280P7XKSA1

IPP60R280P7XKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 12A TO220-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
TK8Q65W,S1Q

TK8Q65W,S1Q

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 7.8A IPAK

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
NTB45N06LG

NTB45N06LG

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 45A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
SIHD6N80E-GE3

SIHD6N80E-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CHAN 800V TO-252

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
NP109N04PUK-E1-AY

NP109N04PUK-E1-AY

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 110A TO-263

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig

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