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3491944SVD5867NLT4G-Bild.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

SVD5867NLT4G

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  • Artikelnummer
    SVD5867NLT4G
  • Hersteller / Marke
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    SVD5867NLT4G.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    DPAK
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    39 mOhm @ 11A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    3.3W (Ta), 43W (Tc)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Andere Namen
    SVD5867NLT4GOSTR
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    16 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    675pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    15nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    60V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 60V 22A (Tc) 3.3W (Ta), 43W (Tc) Surface Mount DPAK
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    22A (Tc)

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Das Folgende sind "SVD5867NLT4G" -Einziper.
NTP60N06L

NTP60N06L

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
SI8821EDB-T2-E1

SI8821EDB-T2-E1

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V MICRO FOOT

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SVD2955T4G

SVD2955T4G

Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 12A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
SI4186DY-T1-GE3

SI4186DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 35.8A 8SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SVD5803NT4G

SVD5803NT4G

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 85A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
IPL60R125C7AUMA1

IPL60R125C7AUMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 17A 4VSON

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPP80N06S2L05AKSA1

IPP80N06S2L05AKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
PSMN7R0-100ES,127

PSMN7R0-100ES,127

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V I2PAK

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
SIHS90N65E-E3

SIHS90N65E-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 87A SUPER247

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SVD5865NLT4G

SVD5865NLT4G

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 10A DPAK-4

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDU6676AS

FDU6676AS

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 90A IPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NP110N03PUG-E1-AY

NP110N03PUG-E1-AY

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V MP-25ZP/TO-263

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
RSY200N05TL

RSY200N05TL

Beschreibung: MOSFET N-CH 45V 20A TCPT3

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
IRF5800TR

IRF5800TR

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IXFR24N100

IXFR24N100

Beschreibung: MOSFET N-CH 1KV 22A ISOPLUS247

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
AOD4180

AOD4180

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 54A TO252

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
vorrätig
RFQ
IXFC80N085

IXFC80N085

Beschreibung: MOSFET N-CH 85V 80A ISOPLUS220

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
FDB8442-F085

FDB8442-F085

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 28A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NTB75N06T4G

NTB75N06T4G

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
SVD14N03RT4G

SVD14N03RT4G

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 14A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
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