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1578301SVD2955T4G-Bild.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

SVD2955T4G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    SVD2955T4G
  • Hersteller / Marke
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    SVD2955T4G.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    DPAK
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    180 mOhm @ 6A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    55W (Tj)
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Andere Namen
    NVD2955T4GOSCT
    NVD2955T4GOSCT-ND
    SVD2955T4GOSCT
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    750pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    30nC @ 10V
  • Typ FET
    P-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    60V
  • detaillierte Beschreibung
    P-Channel 60V 12A (Ta) 55W (Tj) Surface Mount DPAK
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    12A (Ta)

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Das Folgende sind "SVD2955T4G" -Einziper.
IPB029N06N3GATMA1

IPB029N06N3GATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
DMN65D8LFB-7

DMN65D8LFB-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
FQB3P20TM

FQB3P20TM

Beschreibung: MOSFET P-CH 200V 2.8A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
SVD5865NLT4G

SVD5865NLT4G

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 10A DPAK-4

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
IRFH4213TRPBF

IRFH4213TRPBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 41A 8PQFN

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
SI2335DS-T1-E3

SI2335DS-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SIA430DJT-T1-GE3

SIA430DJT-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SVD14N03RT4G

SVD14N03RT4G

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 14A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
STD40P8F6AG

STD40P8F6AG

Beschreibung: MOSFET P-CH 80V DPAK

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
SQJA90EP-T1_GE3

SQJA90EP-T1_GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 60A POWERPAKSO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
IXFK80N15Q

IXFK80N15Q

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 80A TO-264AA

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
AOD520

AOD520

Beschreibung: MOSFET N-CH

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
vorrätig
RFQ
SVD5803NT4G

SVD5803NT4G

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 85A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
STMFS5C609NLT1G

STMFS5C609NLT1G

Beschreibung: TRENCHFET 60V N-CH TRENCH

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
SVD5867NLT4G

SVD5867NLT4G

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 18A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
STB21NM60N

STB21NM60N

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 17A D2PAK

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
DMPH3010LPS-13

DMPH3010LPS-13

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 60A POWERDI5060

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
FDZ298N

FDZ298N

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 6A BGA

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDB20N50F

FDB20N50F

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 20A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
IPA65R190CFDXKSA1

IPA65R190CFDXKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
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