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5063704US1DHE3_A/I-Bild.Electro-Films (EFI) / Vishay

US1DHE3_A/I

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    US1DHE3_A/I
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1V @ 1A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    200V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-214AC (SMA)
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    50ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-214AC, SMA
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 200V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    10µA @ 200V
  • Strom - Richt (Io)
    1A
  • Kapazität @ Vr, F
    15pF @ 4V, 1MHz
  • Basisteilenummer
    US1D
US1DHM2G

US1DHM2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
US1G-13-F

US1G-13-F

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
US1D-TP

US1D-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
US1G-E3/61T

US1G-E3/61T

Beschreibung:

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
US1DHE3/61T

US1DHE3/61T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
US1D-E3/61T

US1D-E3/61T

Beschreibung:

Hersteller: VISHAY
vorrätig
US1D-M3/5AT

US1D-M3/5AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
US1G-E3/5AT

US1G-E3/5AT

Beschreibung:

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
US1DFA

US1DFA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123FA

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
US1DHR3G

US1DHR3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
US1DWF-7

US1DWF-7

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
US1FFA

US1FFA

Beschreibung:

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
US1DHE3/5AT

US1DHE3/5AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
US1D-E3/5AT

US1D-E3/5AT

Beschreibung:

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
US1G M2G

US1G M2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
US1G R3G

US1G R3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
US1D-M3/61T

US1D-M3/61T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
US1D/1

US1D/1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
US1G-13

US1G-13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A SMA

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
US1DHE3_A/H

US1DHE3_A/H

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig

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