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AS4C16M16SA-6TAN-Bild.

Alliance Memory, Inc.

AS4C16M16SA-6TAN

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Spezifikation

Artikelnummer

AS4C16M16SA-6TAN
Hersteller / Marke

Alliance Memory, Inc.
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

AS4C16M16SA-6TAN.pdf
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

12ns
Spannungsversorgung

3 V ~ 3.6 V
Technologie

SDRAM
Supplier Device-Gehäuse

54-TSOP II
Serie

Automotive, AEC-Q100
Verpackung

Tray
Verpackung / Gehäuse

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Andere Namen

1450-1251
Betriebstemperatur

-40°C ~ 105°C (TA)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

256Mb (16M x 16)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

DRAM
Hersteller Standard Vorlaufzeit

8 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

SDRAM Memory IC 256Mb (16M x 16) Parallel 166MHz 5ns 54-TSOP II
Uhrfrequenz

166MHz
Zugriffszeit

5ns

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Das Folgende sind "AS4C16M16SA-6TAN" -Einziper.

AS4C16M16SA-7TCN

AS4C16M16SA-7TCN

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C16M16S-7BCNTR

AS4C16M16S-7BCNTR

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C16M16S-7BCN

AS4C16M16S-7BCN

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C16M16SA-6TCN

AS4C16M16SA-6TCN

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C16M16SA-6TIN

AS4C16M16SA-6TIN

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C16M32MD1-5BCN

AS4C16M32MD1-5BCN

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C16M16SA-7BCN

AS4C16M16SA-7BCN

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C16M16SA-7TCNTR

AS4C16M16SA-7TCNTR

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C16M16SA-6TANTR

AS4C16M16SA-6TANTR

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C16M16S-7TCN

AS4C16M16S-7TCN

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C16M16S-7TCNTR

AS4C16M16S-7TCNTR

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C16M16SA-6BANTR

AS4C16M16SA-6BANTR

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C16M16SA-6TINTR

AS4C16M16SA-6TINTR

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C16M16S-6TINTR

AS4C16M16S-6TINTR

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

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AS4C16M16SA-6BAN

AS4C16M16SA-6BAN

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C16M16SA-6BINTR

AS4C16M16SA-6BINTR

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

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AS4C16M16S-6TIN

AS4C16M16S-6TIN

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

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AS4C16M16SA-6TCNTR

AS4C16M16SA-6TCNTR

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

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AS4C16M16SA-6BIN

AS4C16M16SA-6BIN

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

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AS4C16M16SA-7BCNTR

AS4C16M16SA-7BCNTR

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

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