Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Integrierte schaltkreise (ICS) > Memory > AS4C16M16SA-7BCNTR
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
280422AS4C16M16SA-7BCNTR-Bild.Alliance Memory, Inc.

AS4C16M16SA-7BCNTR

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
2500+
$3.735
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    AS4C16M16SA-7BCNTR
  • Hersteller / Marke
    Alliance Memory, Inc.
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
  • Datenblätte
    AS4C16M16SA-7BCNTR.pdf
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    14ns
  • Spannungsversorgung
    3 V ~ 3.6 V
  • Technologie
    SDRAM
  • Supplier Device-Gehäuse
    54-TFBGA (8x8)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    54-TFBGA
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    256Mb (16M x 16)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    8 Weeks
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM Memory IC 256Mb (16M x 16) Parallel 166MHz 5.4ns 54-TFBGA (8x8)
  • Uhrfrequenz
    166MHz
  • Zugriffszeit
    5.4ns

Anthropic erhält eine weitere Investition von 4 Milliarden...

2024/11/23

SEMI: Der Umsatz von IC im dritten Quartal um 12%, das ...

2024/11/22

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

2024/11/21

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

2024/11/20

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

2024/11/18

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

2024/11/17

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

2024/11/15

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

2024/11/14

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

2024/11/13
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "AS4C16M16SA-7BCNTR" -Einziper.
AS4C16M16SA-7TCN

AS4C16M16SA-7TCN

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS4C16M16SA-7TCNTR

AS4C16M16SA-7TCNTR

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS4C16M16SA-6TANTR

AS4C16M16SA-6TANTR

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS4C16M16SA-6TINTR

AS4C16M16SA-6TINTR

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS4C16M16SA-6BINTR

AS4C16M16SA-6BINTR

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS4C16M32MD1-5BCNTR

AS4C16M32MD1-5BCNTR

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS4C16M16SA-6BIN

AS4C16M16SA-6BIN

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS4C16M32MS-7BCNTR

AS4C16M32MS-7BCNTR

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS4C16M32MS-6BINTR

AS4C16M32MS-6BINTR

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS4C16M16SA-7BCN

AS4C16M16SA-7BCN

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS4C16M32MS-7BCN

AS4C16M32MS-7BCN

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS4C16M16SA-6TCNTR

AS4C16M16SA-6TCNTR

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS4C16M16SA-6TIN

AS4C16M16SA-6TIN

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS4C16M16SA-6BANTR

AS4C16M16SA-6BANTR

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS4C16M16SA-6TCN

AS4C16M16SA-6TCN

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS4C16M32MD1-5BIN

AS4C16M32MD1-5BIN

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS4C16M32MS-6BIN

AS4C16M32MS-6BIN

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS4C16M16SA-6TAN

AS4C16M16SA-6TAN

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS4C16M32MD1-5BCN

AS4C16M32MD1-5BCN

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS4C16M32MD1-5BINTR

AS4C16M32MD1-5BINTR

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.
Folgen Sie uns.
Terms & BedingungenVerstoßpolitikFordern Sie ein Angebot anÜber unsKontaktiere unsSeitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.