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AS4C16M32MD1-5BINTR-Bild.

Alliance Memory, Inc.

AS4C16M32MD1-5BINTR

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Spezifikation

Artikelnummer

AS4C16M32MD1-5BINTR
Hersteller / Marke

Alliance Memory, Inc.
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

AS4C16M32MD1-5BINTR.pdf
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

15ns
Spannungsversorgung

1.7 V ~ 1.95 V
Technologie

SDRAM - Mobile LPDDR
Supplier Device-Gehäuse

90-FBGA (8x13)
Serie

-
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

90-VFBGA
Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

512Mb (16M x 32)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

DRAM
Hersteller Standard Vorlaufzeit

8 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 512Mb (16M x 32) Parallel 200MHz 5ns 90-FBGA (8x13)
Uhrfrequenz

200MHz
Zugriffszeit

5ns

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Das Folgende sind "AS4C16M32MD1-5BINTR" -Einziper.

AS4C16M32MS-6BINTR

AS4C16M32MS-6BINTR

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C16M32MD1-5BIN

AS4C16M32MD1-5BIN

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C16M32MD1-5BCN

AS4C16M32MD1-5BCN

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C16M16SA-7BCNTR

AS4C16M16SA-7BCNTR

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C1M16S-6TCN

Beschreibung: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

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AS4C1G8MD3L-12BCN

AS4C1G8MD3L-12BCN

Beschreibung: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

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AS4C16M16SA-6TIN

AS4C16M16SA-6TIN

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C16M32MS-6BIN

AS4C16M32MS-6BIN

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C16M32MSA-6BIN

AS4C16M32MSA-6BIN

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

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AS4C16M32MS-7BCN

AS4C16M32MS-7BCN

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

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AS4C16M32MD1-5BCNTR

AS4C16M32MD1-5BCNTR

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

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AS4C1M16S-6TCNTR

AS4C1M16S-6TCNTR

Beschreibung: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

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AS4C1G8MD3L-12BCNTR

AS4C1G8MD3L-12BCNTR

Beschreibung: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C16M32MS-7BCNTR

AS4C16M32MS-7BCNTR

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

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AS4C16M16SA-7TCN

AS4C16M16SA-7TCN

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

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AS4C16M16SA-7BCN

AS4C16M16SA-7BCN

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

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AS4C16M16SA-7TCNTR

AS4C16M16SA-7TCNTR

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

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AS4C16M32MSA-6BINTR

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

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AS4C16M16SA-6TINTR

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Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

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AS4C16M16SA-6TCNTR

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Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

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