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6675305AS4C1M16S-7TCNTR-Bild.Alliance Memory, Inc.

AS4C1M16S-7TCNTR

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    AS4C1M16S-7TCNTR
  • Hersteller / Marke
    Alliance Memory, Inc.
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    AS4C1M16S-7TCNTR.pdf
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    2ns
  • Spannungsversorgung
    3 V ~ 3.6 V
  • Technologie
    SDRAM
  • Supplier Device-Gehäuse
    50-TSOP II
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    16Mb (1M x 16)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    8 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM Memory IC 16Mb (1M x 16) Parallel 143MHz 5.4ns 50-TSOP II
  • Uhrfrequenz
    143MHz
  • Zugriffszeit
    5.4ns

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AS4C256M16D3A-12BCNTR

AS4C256M16D3A-12BCNTR

Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
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AS4C1M16S-6TINTR

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Beschreibung: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
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AS4C1M16S-6TCNTR

AS4C1M16S-6TCNTR

Beschreibung: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
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AS4C256M16D3-12BCN

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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
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AS4C256M16D3-12BIN

AS4C256M16D3-12BIN

Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
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AS4C16M32MSA-6BINTR

AS4C16M32MSA-6BINTR

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
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AS4C256M16D3A-12BCN

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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
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RFQ
AS4C256M16D3-12BANTR

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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS4C256M16D3-12BINTR

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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
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AS4C1M16S-7TCN

AS4C1M16S-7TCN

Beschreibung: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
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RFQ
AS4C256M16D3A-12BAN

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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
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AS4C16M32MS-7BCNTR

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
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AS4C1M16S-6TIN

AS4C1M16S-6TIN

Beschreibung: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
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AS4C16M32MSA-6BIN

AS4C16M32MSA-6BIN

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
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AS4C256M16D3-12BAN

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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

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AS4C256M16D3-12BCNTR

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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

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AS4C1G8MD3L-12BCNTR

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Beschreibung: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

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AS4C1M16S-6TCN

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Beschreibung: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

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AS4C1G8MD3L-12BCN

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Beschreibung: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

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