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Zuhause > Produkte > Integrierte schaltkreise (ICS) > Memory > AS4C1M16S-6TCN

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AS4C1M16S-6TCN-Bild.

Alliance Memory, Inc.

AS4C1M16S-6TCN

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Spezifikation

Artikelnummer

AS4C1M16S-6TCN
Hersteller / Marke

Alliance Memory, Inc.
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II
Bleifreier Status / RoHS Status
Datenblätte

AS4C1M16S-6TCN.pdf
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

2ns
Spannungsversorgung

3 V ~ 3.6 V
Technologie

SDRAM
Supplier Device-Gehäuse

50-TSOP II
Serie

-
Verpackung

Tray
Verpackung / Gehäuse

50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Andere Namen

1450-1421
AS4C1M16S-6TCN-ND
Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

16Mb (1M x 16)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

DRAM
Hersteller Standard Vorlaufzeit

8 Weeks
detaillierte Beschreibung

SDRAM Memory IC 16Mb (1M x 16) Parallel 166MHz 5.4ns 50-TSOP II
Uhrfrequenz

166MHz
Zugriffszeit

5.4ns

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Das Folgende sind "AS4C1M16S-6TCN" -Einziper.

AS4C256M16D3-12BANTR

AS4C256M16D3-12BANTR

Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C256M16D3-12BCN

AS4C256M16D3-12BCN

Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C16M32MS-6BINTR

AS4C16M32MS-6BINTR

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C1M16S-6TIN

Beschreibung: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C1M16S-6TINTR

AS4C1M16S-6TINTR

Beschreibung: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C256M16D3-12BCNTR

AS4C256M16D3-12BCNTR

Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C256M16D3-12BIN

AS4C256M16D3-12BIN

Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C16M32MS-7BCNTR

AS4C16M32MS-7BCNTR

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C256M16D3-12BAN

AS4C256M16D3-12BAN

Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C16M32MD1-5BINTR

AS4C16M32MD1-5BINTR

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C16M32MS-6BIN

AS4C16M32MS-6BIN

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C1G8MD3L-12BCN

AS4C1G8MD3L-12BCN

Beschreibung: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C1M16S-7TCN

Beschreibung: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C1M16S-6TCNTR

AS4C1M16S-6TCNTR

Beschreibung: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C16M32MSA-6BINTR

AS4C16M32MSA-6BINTR

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C16M32MD1-5BIN

AS4C16M32MD1-5BIN

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C16M32MSA-6BIN

AS4C16M32MSA-6BIN

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C1G8MD3L-12BCNTR

AS4C1G8MD3L-12BCNTR

Beschreibung: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C16M32MS-7BCN

AS4C16M32MS-7BCN

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C1M16S-7TCNTR

AS4C1M16S-7TCNTR

Beschreibung: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

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