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Zuhause > Produkte > Integrierte schaltkreise (ICS) > Memory > AS4C1G8MD3L-12BCN

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AS4C1G8MD3L-12BCN-Bild.

Alliance Memory, Inc.

AS4C1G8MD3L-12BCN

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Spezifikation

Artikelnummer

AS4C1G8MD3L-12BCN
Hersteller / Marke

Alliance Memory, Inc.
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

AS4C1G8MD3L-12BCN.pdf
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

-
Spannungsversorgung

1.283 V ~ 1.45 V
Technologie

SDRAM - DDR3L
Supplier Device-Gehäuse

78-FBGA (9x13.2)
Serie

-
Verpackung

Tray
Verpackung / Gehäuse

78-TFBGA
Andere Namen

1450-1309
AL41K1G8SN-125:A
AS4C1G8D3L-12BCN
Betriebstemperatur

0°C ~ 95°C (TC)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

8Gb (1G x 8)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

DRAM
Hersteller Standard Vorlaufzeit

8 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

SDRAM - DDR3L Memory IC 8Gb (1G x 8) Parallel 800MHz 13.75ns 78-FBGA (9x13.2)
Uhrfrequenz

800MHz
Zugriffszeit

13.75ns

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Das Folgende sind "AS4C1G8MD3L-12BCN" -Einziper.

AS4C16M32MD1-5BINTR

AS4C16M32MD1-5BINTR

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C16M32MS-7BCN

AS4C16M32MS-7BCN

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C1M16S-6TINTR

AS4C1M16S-6TINTR

Beschreibung: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C1M16S-7TCNTR

AS4C1M16S-7TCNTR

Beschreibung: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C16M32MD1-5BIN

AS4C16M32MD1-5BIN

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C16M32MS-6BIN

AS4C16M32MS-6BIN

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C256M16D3-12BAN

AS4C256M16D3-12BAN

Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C16M32MD1-5BCNTR

AS4C16M32MD1-5BCNTR

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C1G8MD3L-12BCNTR

AS4C1G8MD3L-12BCNTR

Beschreibung: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C1M16S-6TIN

Beschreibung: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C16M32MS-6BINTR

AS4C16M32MS-6BINTR

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C16M32MD1-5BCN

AS4C16M32MD1-5BCN

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C1M16S-7TCN

Beschreibung: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C256M16D3-12BCN

AS4C256M16D3-12BCN

Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C1M16S-6TCN

Beschreibung: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C16M32MSA-6BIN

AS4C16M32MSA-6BIN

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

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AS4C16M32MS-7BCNTR

AS4C16M32MS-7BCNTR

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

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AS4C16M32MSA-6BINTR

AS4C16M32MSA-6BINTR

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

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AS4C1M16S-6TCNTR

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Beschreibung: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

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AS4C256M16D3-12BANTR

AS4C256M16D3-12BANTR

Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

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