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AS4C8M16D1-5BIN-Bild.

Alliance Memory, Inc.

AS4C8M16D1-5BIN

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Spezifikation

Artikelnummer

AS4C8M16D1-5BIN
Hersteller / Marke

Alliance Memory, Inc.
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

AS4C8M16D1-5BIN.pdf
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

15ns
Spannungsversorgung

2.3 V ~ 2.7 V
Technologie

SDRAM - DDR
Supplier Device-Gehäuse

60-TFBGA (8x13)
Serie

-
Verpackung

Tray
Verpackung / Gehäuse

60-TFBGA
Andere Namen

1450-1322
Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

128Mb (8M x 16)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

DRAM
Hersteller Standard Vorlaufzeit

8 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

SDRAM - DDR Memory IC 128Mb (8M x 16) Parallel 200MHz 700ps 60-TFBGA (8x13)
Uhrfrequenz

200MHz
Zugriffszeit

700ps

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Das Folgende sind "AS4C8M16D1-5BIN" -Einziper.

AS4C64M8SA-7TCNTR

AS4C64M8SA-7TCNTR

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C8M16MSA-6BIN

AS4C8M16MSA-6BIN

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 54FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C8M16D1-5TCNTR

AS4C8M16D1-5TCNTR

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C64M8D3L-12BCN

AS4C64M8D3L-12BCN

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 78FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C64M8D3L-12BCNTR

AS4C64M8D3L-12BCNTR

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 78FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C8M16D1-5TINTR

AS4C8M16D1-5TINTR

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C8M16D1A-5TIN

AS4C8M16D1A-5TIN

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C8M16D1-5BCNTR

AS4C8M16D1-5BCNTR

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C64M8D3L-12BINTR

AS4C64M8D3L-12BINTR

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 78FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C64M8SA-7TCN

AS4C64M8SA-7TCN

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C8M16D1A-5TCN

AS4C8M16D1A-5TCN

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C8M16D1-5BINTR

AS4C8M16D1-5BINTR

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C8M16D1A-5TINTR

AS4C8M16D1A-5TINTR

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C64M8D3-12BINTR

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 78FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C8M16D1A-5TCNTR

AS4C8M16D1A-5TCNTR

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C8M16D1-5TIN

AS4C8M16D1-5TIN

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

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AS4C64M8D3L-12BIN

AS4C64M8D3L-12BIN

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 78FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

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AS4C8M16D1-5BCN

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Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

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AS4C8M16D1-5TCN

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Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

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AS4C64M8D3-12BIN

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 78FBGA

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