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Spezifikation

Artikelnummer

AS4C8M16D1A-5TIN
Hersteller / Marke

Alliance Memory, Inc.
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

AS4C8M16D1A-5TIN.pdf
ECAD -Modell
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

15ns
Spannungsversorgung

2.3 V ~ 2.7 V
Technologie

SDRAM - DDR
Supplier Device-Gehäuse

66-TSOP II
Serie

-
Verpackung

Tray
Verpackung / Gehäuse

66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Andere Namen

1450-1296
Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

128Mb (8M x 16)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

DRAM
Hersteller Standard Vorlaufzeit

8 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

SDRAM - DDR Memory IC 128Mb (8M x 16) Parallel 200MHz 700ps 66-TSOP II
Uhrfrequenz

200MHz
Zugriffszeit

700ps

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Das Folgende sind "AS4C8M16D1A-5TIN" -Einziper.

AS4C8M16S-6BINTR

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

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