Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

*Unternehmen
*Name
*Titel

*E-Mail-Addresse
*Telefonnummer

*Land
*Kontaktfenster
*Ereignisdatum

*Nachricht

Für Besucher von Electronica 2024

Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.

Zuhause > Produkte > Integrierte schaltkreise (ICS) > Memory > AS4C8M16S-6BINTR

RFQs/Bestellung (0)

Deutsch

Deutsch

6948644

AS4C8M16S-6BINTR-Bild.

Alliance Memory, Inc.

AS4C8M16S-6BINTR

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Anfrage online

Spezifikation

Artikelnummer

AS4C8M16S-6BINTR
Hersteller / Marke

Alliance Memory, Inc.
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

AS4C8M16S-6BINTR.pdf
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

2ns
Spannungsversorgung

3 V ~ 3.6 V
Technologie

SDRAM
Supplier Device-Gehäuse

54-TFBGA (8x8)
Serie

-
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

54-TFBGA
Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

128Mb (8M x 16)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

DRAM
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

SDRAM Memory IC 128Mb (8M x 16) Parallel 166MHz 5ns 54-TFBGA (8x8)
Uhrfrequenz

166MHz
Zugriffszeit

5ns

relevante Nachrichten
Versand
Zahlungsmittel

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Südkorea plant, den Chip -Gesetz zu erlassen, um Trumps Be...

Versand

Zahlung

Das Folgende sind "AS4C8M16S-6BINTR" -Einziper.

AS4C8M16D1A-5TCN

AS4C8M16D1A-5TCN

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C8M16S-7BCNTR

AS4C8M16S-7BCNTR

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C8M16D1A-5TCNTR

AS4C8M16D1A-5TCNTR

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C8M16S-6BIN

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C8M16S-6TAN

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C8M16MSA-6BIN

AS4C8M16MSA-6BIN

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 54FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C8M16D1-5TCNTR

AS4C8M16D1-5TCNTR

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C8M16S-7TCNTR

AS4C8M16S-7TCNTR

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C8M16D1-5TINTR

AS4C8M16D1-5TINTR

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C8M16S-6TIN

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C8M16MSA-6BINTR

AS4C8M16MSA-6BINTR

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 54FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C8M16D1A-5TINTR

AS4C8M16D1A-5TINTR

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C8M16S-6TINTR

AS4C8M16S-6TINTR

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C8M16D1A-5TIN

AS4C8M16D1A-5TIN

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C8M16S-7BCN

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C8M16S-6TANTR

AS4C8M16S-6TANTR

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C8M16S-7TCN

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C8M16S-6TCN

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C8M16D1-5TIN

AS4C8M16D1-5TIN

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C8M16S-6TCNTR

AS4C8M16S-6TCNTR

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.

Folgen Sie uns.

Terms & Bedingungen Verstoßpolitik Fordern Sie ein Angebot an Über uns Kontaktiere uns Seitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.