AS4C8M16S-7TCNTR

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Spezifikation

Artikelnummer

AS4C8M16S-7TCNTR
Hersteller / Marke

Alliance Memory, Inc.
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

AS4C8M16S-7TCNTR.pdf
ECAD -Modell
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

2ns
Spannungsversorgung

3 V ~ 3.6 V
Technologie

SDRAM
Supplier Device-Gehäuse

54-TSOP II
Serie

-
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

128Mb (8M x 16)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

DRAM
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

SDRAM Memory IC 128Mb (8M x 16) Parallel 143MHz 5.4ns 54-TSOP II
Uhrfrequenz

143MHz
Zugriffszeit

5.4ns

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Das Folgende sind "AS4C8M16S-7TCNTR" -Einziper.

AS4C8M16SA-6BIN

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C8M16S-7TCNTR

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