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AS4C8M16SA-6TCNTR-Bild.

Alliance Memory, Inc.

AS4C8M16SA-6TCNTR

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Spezifikation

Artikelnummer

AS4C8M16SA-6TCNTR
Hersteller / Marke

Alliance Memory, Inc.
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP
Bleifreier Status / RoHS Status
Datenblätte

AS4C8M16SA-6TCNTR.pdf
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

12ns
Spannungsversorgung

3 V ~ 3.6 V
Technologie

SDRAM
Supplier Device-Gehäuse

54-TSOP II
Serie

-
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

128Mb (8M x 16)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

DRAM
Hersteller Standard Vorlaufzeit

8 Weeks
detaillierte Beschreibung

SDRAM Memory IC 128Mb (8M x 16) Parallel 166MHz 5ns 54-TSOP II
Uhrfrequenz

166MHz
Zugriffszeit

5ns

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Das Folgende sind "AS4C8M16SA-6TCNTR" -Einziper.

AS4C8M16S-7BCNTR

AS4C8M16S-7BCNTR

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C8M16S-7TCN

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C8M16SA-6TIN

AS4C8M16SA-6TIN

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C8M16SA-6TINTR

AS4C8M16SA-6TINTR

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C8M16SA-6TAN

AS4C8M16SA-6TAN

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C8M16SA-7TCN

AS4C8M16SA-7TCN

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C8M16SA-6BIN

AS4C8M16SA-6BIN

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C8M16SA-6BANTR

AS4C8M16SA-6BANTR

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C8M32MSA-6BINTR

AS4C8M32MSA-6BINTR

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 90FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C8M16SA-6BAN

AS4C8M16SA-6BAN

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C8M32MSA-6BIN

AS4C8M32MSA-6BIN

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 90FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C8M16SA-7BCN

AS4C8M16SA-7BCN

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C8M16S-7TCNTR

AS4C8M16S-7TCNTR

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C8M16SA-7BCNTR

AS4C8M16SA-7BCNTR

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C8M16SA-7TCNTR

AS4C8M16SA-7TCNTR

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C8M16SA-6TANTR

AS4C8M16SA-6TANTR

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C8M32S-6BINTR

AS4C8M32S-6BINTR

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C8M16SA-6BINTR

AS4C8M16SA-6BINTR

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C8M32S-6BIN

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C8M16SA-6TCN

AS4C8M16SA-6TCN

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

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