Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Integrierte schaltkreise (ICS) > Memory > AS4C8M32S-7TCNTR
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
4940398

AS4C8M32S-7TCNTR

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
1000+
$4.467
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    AS4C8M32S-7TCNTR
  • Hersteller / Marke
    Alliance Memory, Inc.
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II
  • Bleifreier Status / RoHS Status
  • Datenblätte
    AS4C8M32S-7TCNTR.pdf
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    3 V ~ 3.6 V
  • Technologie
    SDRAM
  • Supplier Device-Gehäuse
    86-TSOP II
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    256Mb (8M x 32)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    8 Weeks
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM Memory IC 256Mb (8M x 32) Parallel 143MHz 5.5ns 86-TSOP II
  • Uhrfrequenz
    143MHz
  • Zugriffszeit
    5.5ns

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

2024/11/21

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

2024/11/20

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

2024/11/18

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

2024/11/17

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

2024/11/15

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

2024/11/14

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Südkorea plant, den Chip -Gesetz zu erlassen, um Trumps Be...

2024/11/13
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "AS4C8M32S-7TCNTR" -Einziper.
AS4PDHM3_A/I

AS4PDHM3_A/I

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 200V 2.4A TO277A

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
AS4C8M32MSA-6BINTR

AS4C8M32MSA-6BINTR

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 90FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS4C8M32MSA-6BIN

AS4C8M32MSA-6BIN

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 90FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS4C8M32SA-7BCNTR

AS4C8M32SA-7BCNTR

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS4PD-M3/87A

AS4PD-M3/87A

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 200V 2.4A TO277A

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
AS4PD-M3/86A

AS4PD-M3/86A

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 200V 2.4A TO277A

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
AS4C8M32S-7BCN

AS4C8M32S-7BCN

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS4C8M32S-7TCN

AS4C8M32S-7TCN

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS4C8M32S-6TINTR

AS4C8M32S-6TINTR

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS4C8M32S-6BINTR

AS4C8M32S-6BINTR

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS4C8M32SA-6BINTR

AS4C8M32SA-6BINTR

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS4PDHM3/87A

AS4PDHM3/87A

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 200V 2.4A TO277A

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
AS4C8M32SA-6BIN

AS4C8M32SA-6BIN

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS4C8M32SA-7BCN

AS4C8M32SA-7BCN

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS4C8M32S-7BCNTR

AS4C8M32S-7BCNTR

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS4PDHM3/86A

AS4PDHM3/86A

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 200V 2.4A TO277A

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
AS4C8M32S-6BIN

AS4C8M32S-6BIN

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS4C8M32S-6TIN

AS4C8M32S-6TIN

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS4PDHM3_A/H

AS4PDHM3_A/H

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 200V 2.4A TO277A

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
AS4C8M16SA-7TCNTR

AS4C8M16SA-7TCNTR

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.
Folgen Sie uns.
Terms & BedingungenVerstoßpolitikFordern Sie ein Angebot anÜber unsKontaktiere unsSeitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.