AS4C8M32S-6BIN

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Spezifikation

Artikelnummer

AS4C8M32S-6BIN
Hersteller / Marke

Alliance Memory, Inc.
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
ECAD -Modell
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

2ns
Spannungsversorgung

3 V ~ 3.6 V
Technologie

SDRAM
Supplier Device-Gehäuse

90-TFBGA (8x13)
Serie

-
Verpackung

Tray
Verpackung / Gehäuse

90-TFBGA
Andere Namen

1450-1163
AS4C8M32S-6BIN-ND
Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

256Mb (8M x 32)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

DRAM
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

SDRAM Memory IC 256Mb (8M x 32) Parallel 166MHz 5ns 90-TFBGA (8x13)
Uhrfrequenz

166MHz
Zugriffszeit

5ns

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Das Folgende sind "AS4C8M32S-6BIN" -Einziper.

AS4C8M32SA-6BIN

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

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