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Zuhause > Produkte > Integrierte schaltkreise (ICS) > Memory > AS4C8M32MSA-6BIN

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AS4C8M32MSA-6BIN-Bild.

Alliance Memory, Inc.

AS4C8M32MSA-6BIN

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Spezifikation

Artikelnummer

AS4C8M32MSA-6BIN
Hersteller / Marke

Alliance Memory, Inc.
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC DRAM 256M PARALLEL 90FBGA
Bleifreier Status / RoHS Status
Datenblätte

AS4C8M32MSA-6BIN.pdf
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

-
Spannungsversorgung

1.7 V ~ 1.95 V
Technologie

SDRAM - Mobile
Supplier Device-Gehäuse

90-FBGA (8x13)
Serie

-
Verpackung

Tray
Verpackung / Gehäuse

90-VFBGA
Andere Namen

1450-1457
Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

256Mb (8M x 32)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

DRAM
Hersteller Standard Vorlaufzeit

8 Weeks
detaillierte Beschreibung

SDRAM - Mobile Memory IC 256Mb (8M x 32) Parallel 166MHz 5.5ns 90-FBGA (8x13)
Uhrfrequenz

166MHz
Zugriffszeit

5.5ns

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Das Folgende sind "AS4C8M32MSA-6BIN" -Einziper.

AS4C8M16SA-6TCN

AS4C8M16SA-6TCN

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C8M32S-6BINTR

AS4C8M32S-6BINTR

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C8M32S-7BCNTR

AS4C8M32S-7BCNTR

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C8M16SA-7TCN

AS4C8M16SA-7TCN

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C8M16SA-7TCNTR

AS4C8M16SA-7TCNTR

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C8M16SA-7BCN

AS4C8M16SA-7BCN

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C8M16SA-6TAN

AS4C8M16SA-6TAN

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C8M32S-7TCNTR

AS4C8M32S-7TCNTR

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C8M32S-6BIN

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C8M16SA-6TINTR

AS4C8M16SA-6TINTR

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C8M16SA-6TANTR

AS4C8M16SA-6TANTR

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C8M32S-7BCN

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C8M32S-6TINTR

AS4C8M32S-6TINTR

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C8M32MSA-6BINTR

AS4C8M32MSA-6BINTR

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 90FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C8M16SA-6TCNTR

AS4C8M16SA-6TCNTR

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C8M32S-6TIN

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C8M32SA-6BIN

AS4C8M32SA-6BIN

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C8M32S-7TCN

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C8M16SA-7BCNTR

AS4C8M16SA-7BCNTR

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

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AS4C8M16SA-6TIN

AS4C8M16SA-6TIN

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

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