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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-RF > NE3513M04-A

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NE3513M04-A-Bild.

CEL (California Eastern Laboratories)

NE3513M04-A

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Spezifikation

Artikelnummer

NE3513M04-A
Hersteller / Marke

CEL (California Eastern Laboratories)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

NE3513M04-A.pdf
Spannung - Prüfung

2V
Spannung - Nennwert

4V
Transistor-Typ

N-Channel GaAs HJ-FET
Supplier Device-Gehäuse

M04
Serie

-
Leistung

125mW
Verpackung

Bulk
Verpackung / Gehäuse

SOT-343F
Rauschmaß

0.65dB
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Gewinnen

13dB
Frequenz

12GHz
detaillierte Beschreibung

RF Mosfet N-Channel GaAs HJ-FET 2V 10mA 12GHz 13dB 125mW M04
Aktuelle Bewertung

60mA
Strom - Test

10mA

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Das Folgende sind "NE3513M04-A" -Einziper.

NE3509M04-EVNF24-A

NE3509M04-EVNF24-A

Beschreibung: EVAL DEV RF NE3509M04

Hersteller: CEL (California Eastern Laboratories)

vorrätig

NE3510M04-T2-A

Beschreibung: FET RF 4V 4GHZ M04

Hersteller: CEL (California Eastern Laboratories)

vorrätig

NE3516S02-T1C-A

NE3516S02-T1C-A

Beschreibung: IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX

Hersteller: CEL (California Eastern Laboratories)

vorrätig

NE3515S02-T1D-A

NE3515S02-T1D-A

Beschreibung: FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02

Hersteller: CEL (California Eastern Laboratories)

vorrätig

NE3515S02-A

Beschreibung: FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02

Hersteller: CEL (California Eastern Laboratories)

vorrätig

NE3511S02-A

Beschreibung: HJ-FET NCH 13.5DB S02

Hersteller: CEL (California Eastern Laboratories)

vorrätig

NE3516S02-A

Beschreibung: IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX

Hersteller: CEL (California Eastern Laboratories)

vorrätig

NE3512S02-A

Beschreibung: HJ-FET NCH 13.5DB S02

Hersteller: CEL (California Eastern Laboratories)

vorrätig

NE3513M04-T2B-A

NE3513M04-T2B-A

Beschreibung: FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD

Hersteller: CEL (California Eastern Laboratories)

vorrätig

NE3508M04-T2-A

Beschreibung: FET RF 4V 2GHZ 4-TSMM

Hersteller: CEL (California Eastern Laboratories)

vorrätig

NE3517S03-T1C-A

NE3517S03-T1C-A

Beschreibung: FET RF 4V 20GHZ S03

Hersteller: CEL (California Eastern Laboratories)

vorrätig

NE3513M04-T2-A

Beschreibung: FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD

Hersteller: CEL (California Eastern Laboratories)

vorrätig

NE3509M04-A

Beschreibung: FET RF 4V 2GHZ 4-SMINI

Hersteller: CEL (California Eastern Laboratories)

vorrätig

NE3512S02-T1C-A

NE3512S02-T1C-A

Beschreibung: HJ-FET NCH 13.5DB S02

Hersteller: CEL (California Eastern Laboratories)

vorrätig

NE3514S02-T1C-A

NE3514S02-T1C-A

Beschreibung: HJ-FET NCH 10DB S02

Hersteller: CEL (California Eastern Laboratories)

vorrätig

NE3514S02-A

Beschreibung: HJ-FET NCH 10DB S02

Hersteller: CEL (California Eastern Laboratories)

vorrätig

NE3515S02-T1C-A

NE3515S02-T1C-A

Beschreibung: FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02

Hersteller: CEL (California Eastern Laboratories)

vorrätig

NE3509M04-T2-A

Beschreibung: FET RF 4V 2GHZ SOT-343

Hersteller: CEL (California Eastern Laboratories)

vorrätig

NE3511S02-T1C-A

NE3511S02-T1C-A

Beschreibung: IC AMP RF LNA 13.5DB S02

Hersteller: CEL (California Eastern Laboratories)

vorrätig

NE3510M04-A

Beschreibung: FET RF 4V 4GHZ M04

Hersteller: CEL (California Eastern Laboratories)

vorrätig

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