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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-RF > NE3513M04-T2B-A
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NE3513M04-T2B-A

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    NE3513M04-T2B-A
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Spannung - Prüfung
    2V
  • Spannung - Nennwert
    4V
  • Transistor-Typ
    N-Channel GaAs HJ-FET
  • Supplier Device-Gehäuse
    4-Super Mini Mold
  • Serie
    -
  • Leistung
    125mW
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    4-SMD, Flat Leads
  • Rauschmaß
    0.65dB
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Gewinnen
    13dB
  • Frequenz
    12GHz
  • detaillierte Beschreibung
    RF Mosfet N-Channel GaAs HJ-FET 2V 10mA 12GHz 13dB 125mW 4-Super Mini Mold
  • Aktuelle Bewertung
    60mA
  • Strom - Test
    10mA
NE3509M04-EVNF24-A

NE3509M04-EVNF24-A

Beschreibung: EVAL DEV RF NE3509M04

Hersteller: CEL (California Eastern Laboratories)
vorrätig
NE3515S02-T1C-A

NE3515S02-T1C-A

Beschreibung: FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02

Hersteller: CEL (California Eastern Laboratories)
vorrätig
NE3517S03-T1C-A

NE3517S03-T1C-A

Beschreibung: FET RF 4V 20GHZ S03

Hersteller: CEL (California Eastern Laboratories)
vorrätig
NE3509M04-T2-A

NE3509M04-T2-A

Beschreibung: FET RF 4V 2GHZ SOT-343

Hersteller: CEL (California Eastern Laboratories)
vorrätig
NE3520S03-A

NE3520S03-A

Beschreibung: FET RF 4V 20GHZ S03

Hersteller: CEL (California Eastern Laboratories)
vorrätig
NE3514S02-A

NE3514S02-A

Beschreibung: HJ-FET NCH 10DB S02

Hersteller: CEL (California Eastern Laboratories)
vorrätig
NE3513M04-A

NE3513M04-A

Beschreibung: FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD

Hersteller: CEL (California Eastern Laboratories)
vorrätig
NE3520S03-T1C-A

NE3520S03-T1C-A

Beschreibung: FET RF 4V 20GHZ S03

Hersteller: CEL (California Eastern Laboratories)
vorrätig
NE3510M04-T2-A

NE3510M04-T2-A

Beschreibung: FET RF 4V 4GHZ M04

Hersteller: CEL (California Eastern Laboratories)
vorrätig
NE3515S02-A

NE3515S02-A

Beschreibung: FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02

Hersteller: CEL (California Eastern Laboratories)
vorrätig
NE3514S02-T1C-A

NE3514S02-T1C-A

Beschreibung: HJ-FET NCH 10DB S02

Hersteller: CEL (California Eastern Laboratories)
vorrätig
NE3516S02-T1C-A

NE3516S02-T1C-A

Beschreibung: IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX

Hersteller: CEL (California Eastern Laboratories)
vorrätig
NE3515S02-T1D-A

NE3515S02-T1D-A

Beschreibung: FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02

Hersteller: CEL (California Eastern Laboratories)
vorrätig
NE3512S02-T1C-A

NE3512S02-T1C-A

Beschreibung: HJ-FET NCH 13.5DB S02

Hersteller: CEL (California Eastern Laboratories)
vorrätig
NE3510M04-A

NE3510M04-A

Beschreibung: FET RF 4V 4GHZ M04

Hersteller: CEL (California Eastern Laboratories)
vorrätig
NE3513M04-T2-A

NE3513M04-T2-A

Beschreibung: FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD

Hersteller: CEL (California Eastern Laboratories)
vorrätig
NE3511S02-A

NE3511S02-A

Beschreibung: HJ-FET NCH 13.5DB S02

Hersteller: CEL (California Eastern Laboratories)
vorrätig
NE3516S02-A

NE3516S02-A

Beschreibung: IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX

Hersteller: CEL (California Eastern Laboratories)
vorrätig
NE3511S02-T1C-A

NE3511S02-T1C-A

Beschreibung: IC AMP RF LNA 13.5DB S02

Hersteller: CEL (California Eastern Laboratories)
vorrätig
NE3512S02-A

NE3512S02-A

Beschreibung: HJ-FET NCH 13.5DB S02

Hersteller: CEL (California Eastern Laboratories)
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