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742NE3516S02-A-Bild.CEL (California Eastern Laboratories)

NE3516S02-A

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    NE3516S02-A
  • Hersteller / Marke
    CEL (California Eastern Laboratories)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    NE3516S02-A.pdf
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Prüfung
    2V
  • Spannung - Nennwert
    4V
  • Transistor-Typ
    N-Channel GaAs HJ-FET
  • Supplier Device-Gehäuse
    S02
  • Serie
    -
  • Leistung
    165mW
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    4-SMD, Flat Leads
  • Rauschmaß
    0.35dB
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Gewinnen
    14dB
  • Frequenz
    12GHz
  • detaillierte Beschreibung
    RF Mosfet N-Channel GaAs HJ-FET 2V 10mA 12GHz 14dB 165mW S02
  • Aktuelle Bewertung
    60mA
  • Strom - Test
    10mA

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Das Folgende sind "NE3516S02-A" -Einziper.
NE3513M04-A

NE3513M04-A

Beschreibung: FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD

Hersteller: CEL (California Eastern Laboratories)
vorrätig
RFQ
NE3512S02-A

NE3512S02-A

Beschreibung: HJ-FET NCH 13.5DB S02

Hersteller: CEL (California Eastern Laboratories)
vorrätig
RFQ
NE3520S03-T1C-A

NE3520S03-T1C-A

Beschreibung: FET RF 4V 20GHZ S03

Hersteller: CEL (California Eastern Laboratories)
vorrätig
RFQ
NE3514S02-A

NE3514S02-A

Beschreibung: HJ-FET NCH 10DB S02

Hersteller: CEL (California Eastern Laboratories)
vorrätig
RFQ
NE3515S02-T1C-A

NE3515S02-T1C-A

Beschreibung: FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02

Hersteller: CEL (California Eastern Laboratories)
vorrätig
RFQ
NE3513M04-T2B-A

NE3513M04-T2B-A

Beschreibung: FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD

Hersteller: CEL (California Eastern Laboratories)
vorrätig
RFQ
NE3X2WH6

NE3X2WH6

Beschreibung: WIRE DUCT SLOTTED SCREW WHITE 6'

Hersteller: Panduit
vorrätig
RFQ
NE3512S02-T1C-A

NE3512S02-T1C-A

Beschreibung: HJ-FET NCH 13.5DB S02

Hersteller: CEL (California Eastern Laboratories)
vorrätig
RFQ
NE3515S02-T1D-A

NE3515S02-T1D-A

Beschreibung: FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02

Hersteller: CEL (California Eastern Laboratories)
vorrätig
RFQ
NE3520S03-A

NE3520S03-A

Beschreibung: FET RF 4V 20GHZ S03

Hersteller: CEL (California Eastern Laboratories)
vorrätig
RFQ
NE3517S03-T1C-A

NE3517S03-T1C-A

Beschreibung: FET RF 4V 20GHZ S03

Hersteller: CEL (California Eastern Laboratories)
vorrätig
RFQ
NE3521M04-T2-A

NE3521M04-T2-A

Beschreibung: IC HJ-FET N-CH GAAS 4SMINI

Hersteller: CEL (California Eastern Laboratories)
vorrätig
RFQ
NE3515S02-A

NE3515S02-A

Beschreibung: FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02

Hersteller: CEL (California Eastern Laboratories)
vorrätig
RFQ
NE3521M04-A

NE3521M04-A

Beschreibung: IC HJ-FET N-CH GAAS 4SMINI

Hersteller: CEL (California Eastern Laboratories)
vorrätig
RFQ
NE3513M04-T2-A

NE3513M04-T2-A

Beschreibung: FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD

Hersteller: CEL (California Eastern Laboratories)
vorrätig
RFQ
NE3X1WH6

NE3X1WH6

Beschreibung: WIRE DUCT SLOTTED SCREW WHITE 6'

Hersteller: Panduit
vorrätig
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NE3516S02-T1C-A

NE3516S02-T1C-A

Beschreibung: IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX

Hersteller: CEL (California Eastern Laboratories)
vorrätig
RFQ
NE3X3WH6

NE3X3WH6

Beschreibung: WIRE DUCT SLOTTED SCREW WHITE 6'

Hersteller: Panduit
vorrätig
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NE3514S02-T1C-A

NE3514S02-T1C-A

Beschreibung: HJ-FET NCH 10DB S02

Hersteller: CEL (California Eastern Laboratories)
vorrätig
RFQ
NE3X1WH6-A

NE3X1WH6-A

Beschreibung: WIRE DUCT SLOTTED ADH SCRW WT 6'

Hersteller: Panduit
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