CYDM128B16-40BVXIT

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Spezifikation

Artikelnummer

CYDM128B16-40BVXIT
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC SRAM 128K PARALLEL 100VFBGA
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
ECAD -Modell
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

40ns
Spannungsversorgung

1.7 V ~ 1.9 V, 2.4 V ~ 2.6 V, 3 V ~ 3.6 V
Technologie

SRAM - Dual Port, MoBL
Supplier Device-Gehäuse

100-VFBGA (6x6)
Serie

-
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

100-VFBGA
Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

128Kb (8K x 16)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

SRAM
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

SRAM - Dual Port, MoBL Memory IC 128Kb (8K x 16) Parallel 40ns 100-VFBGA (6x6)
Basisteilenummer

CYDM
Zugriffszeit

40ns

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Zahlungsmittel

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Das Folgende sind "CYDM128B16-40BVXIT" -Einziper.

CYDM256B16-40BVXI

Beschreibung: IC SRAM 256K PARALLEL 100VFBGA

Hersteller: Cypress Semiconductor

vorrätig

CYDM128B16-40BVXIT

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