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DMJ70H1D5SV3

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    DMJ70H1D5SV3
  • Hersteller / Marke
    Diodes Incorporated
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    DMJ70H1D5SV3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-251
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.5 Ohm @ 1A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    78W (Tc)
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-251-3 Stub Leads, IPak
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    8 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    316pF @ 50V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    9.8nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    700V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 700V 5A (Tc) 78W (Tc) Through Hole TO-251
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    5A (Tc)

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Das Folgende sind "DMJ70H1D5SV3" -Einziper.
DMJ70H1D0SV3

DMJ70H1D0SV3

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 700V 6A TO251

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
IPB65R125C7ATMA1

IPB65R125C7ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
DMJ70H1D3SI3

DMJ70H1D3SI3

Beschreibung: MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
IXFH10N80P

IXFH10N80P

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 10A TO-247

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IRF6662TRPBF

IRF6662TRPBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
DMJT9435-13

DMJT9435-13

Beschreibung: TRANS PNP 30V 3A SOT-223

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMJ70H601SK3-13

DMJ70H601SK3-13

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO252

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMJ70H900HJ3

DMJ70H900HJ3

Beschreibung: MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
NDD60N550U1T4G

NDD60N550U1T4G

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 8.2A DPAK-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
SI1021R-T1-E3

SI1021R-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 190MA SC-75A

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
IRF5305LPBF

IRF5305LPBF

Beschreibung: MOSFET P-CH 55V 31A TO-262

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
DMJ70H600SH3

DMJ70H600SH3

Beschreibung: MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMJ70H1D4SV3

DMJ70H1D4SV3

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMJ2833-000

DMJ2833-000

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 0.1A 0.075W 3-PIN

Hersteller: Skyworks Solutions, Inc.
vorrätig
RFQ
DMJ70H1D3SJ3

DMJ70H1D3SJ3

Beschreibung: MOSFET N-CH TO251

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ZXMN3A01FTA

ZXMN3A01FTA

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
IXTP98N075T

IXTP98N075T

Beschreibung: MOSFET N-CH 75V 98A TO-220

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
DMJ70H1D3SH3

DMJ70H1D3SH3

Beschreibung: MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMJ7N70SK3-13

DMJ7N70SK3-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 700V 3.9A

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMJ70H601SV3

DMJ70H601SV3

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO251

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
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