Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > DMJ70H1D0SV3
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
6323433

DMJ70H1D0SV3

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
75+
$1.24
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    DMJ70H1D0SV3
  • Hersteller / Marke
    Diodes Incorporated
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CHANNEL 700V 6A TO251
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    DMJ70H1D0SV3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-251
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1 Ohm @ 1.5A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    104W (Tc)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-251-3 Stub Leads, IPak
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    8 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    420pF @ 50V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    12.8nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    700V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 700V 6A (Tc) 104W (Tc) Through Hole TO-251
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    6A (Tc)

AMD startet den Bau der zweiten Phase des Bangalore Design ...

2024/11/26

Die NVIDIA RTX 5090 -Grafikkarte hat eine GPU -Fläche von ...

2024/11/25

Anthropic erhält eine weitere Investition von 4 Milliarden...

2024/11/23

SEMI: Der Umsatz von IC im dritten Quartal um 12%, das ...

2024/11/22

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

2024/11/21

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

2024/11/20

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

2024/11/18

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

2024/11/17

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

2024/11/15
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "DMJ70H1D0SV3" -Einziper.
DMJT9435-13

DMJT9435-13

Beschreibung: TRANS PNP 30V 3A SOT-223

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMJ70H601SV3

DMJ70H601SV3

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO251

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
NDD60N360U1-1G

NDD60N360U1-1G

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 114A IPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
GP1M008A025PG

GP1M008A025PG

Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 8A IPAK

Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
RFQ
DMJ70H601SK3-13

DMJ70H601SK3-13

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO252

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
SIR416DP-T1-GE3

SIR416DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
DMJ70H1D5SV3

DMJ70H1D5SV3

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMJ70H1D3SJ3

DMJ70H1D3SJ3

Beschreibung: MOSFET N-CH TO251

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMJ70H1D3SI3

DMJ70H1D3SI3

Beschreibung: MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
IRFI9Z14G

IRFI9Z14G

Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 5.3A TO220FP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
BSP300L6327HUSA1

BSP300L6327HUSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
STE40NK90ZD

STE40NK90ZD

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 40A ISOTOP

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
DMJ7N70SK3-13

DMJ7N70SK3-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 700V 3.9A

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMJ2833-000

DMJ2833-000

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 0.1A 0.075W 3-PIN

Hersteller: Skyworks Solutions, Inc.
vorrätig
RFQ
DMJ70H1D3SH3

DMJ70H1D3SH3

Beschreibung: MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMJ70H600SH3

DMJ70H600SH3

Beschreibung: MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
SSM3J325F,LF

SSM3J325F,LF

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
DMJ70H900HJ3

DMJ70H900HJ3

Beschreibung: MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMJ70H1D4SV3

DMJ70H1D4SV3

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
US5U29TR

US5U29TR

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 1A TUMT5

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.
Folgen Sie uns.
Terms & BedingungenVerstoßpolitikFordern Sie ein Angebot anÜber unsKontaktiere unsSeitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.