Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > DMJ70H600SH3
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
1185594

DMJ70H600SH3

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
75+
$1.667
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    DMJ70H600SH3
  • Hersteller / Marke
    Diodes Incorporated
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    DMJ70H600SH3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-251
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    600 mOhm @ 2.4A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    113W (Tc)
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-251-3, IPak, Short Leads
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    8 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    643pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    18.2nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    700V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 700V 11A (Tc) 113W (Tc) Through Hole TO-251
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    11A (Tc)

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

2024/11/21

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

2024/11/20

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

2024/11/18

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

2024/11/17

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

2024/11/15

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

2024/11/14

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Südkorea plant, den Chip -Gesetz zu erlassen, um Trumps Be...

2024/11/13
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "DMJ70H600SH3" -Einziper.
DMJ70H601SV3

DMJ70H601SV3

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO251

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMJ70H900HJ3

DMJ70H900HJ3

Beschreibung: MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
IXTK40P50P

IXTK40P50P

Beschreibung: MOSFET P-CH 500V 40A TO-264

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
DMJ70H1D3SI3

DMJ70H1D3SI3

Beschreibung: MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMP4050SSS-13

DMP4050SSS-13

Beschreibung: MOSFET P-CH 40V 4.4A 8SO

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMJT9435-13

DMJT9435-13

Beschreibung: TRANS PNP 30V 3A SOT-223

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMJ70H1D3SJ3

DMJ70H1D3SJ3

Beschreibung: MOSFET N-CH TO251

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ZVP2120ASTZ

ZVP2120ASTZ

Beschreibung: MOSFET P-CH 200V 0.12A TO92-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
SQD90P04-9M4L_GE3

SQD90P04-9M4L_GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 40V 90A TO252AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
APT12M80B

APT12M80B

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 13A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
DMJ70H601SK3-13

DMJ70H601SK3-13

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO252

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMJ2833-000

DMJ2833-000

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 0.1A 0.075W 3-PIN

Hersteller: Skyworks Solutions, Inc.
vorrätig
RFQ
DMJ70H1D3SH3

DMJ70H1D3SH3

Beschreibung: MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMJ70H1D0SV3

DMJ70H1D0SV3

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 700V 6A TO251

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMJ70H1D4SV3

DMJ70H1D4SV3

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMJ7N70SK3-13

DMJ7N70SK3-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 700V 3.9A

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
IPS04N03LB G

IPS04N03LB G

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 50A IPAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
FDS7066N7

FDS7066N7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 23A 8-SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDMS2504SDC

FDMS2504SDC

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 42A POWER56

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
DMJ70H1D5SV3

DMJ70H1D5SV3

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.
Folgen Sie uns.
Terms & BedingungenVerstoßpolitikFordern Sie ein Angebot anÜber unsKontaktiere unsSeitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.