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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > DMN10H220LVT-13

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6540776

DMN10H220LVT-13-Bild.

Diodes Incorporated

DMN10H220LVT-13

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Spezifikation

Artikelnummer

DMN10H220LVT-13
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 100V 1.87A TSOT26
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

DMN10H220LVT-13.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±16V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TSOT-26
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

220 mOhm @ 1.6A, 10V
Verlustleistung (max)

1.67W (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Andere Namen

DMN10H220LVT-13DI
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

24 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

401pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.3nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 100V 1.87A (Ta) 1.67W (Ta) Surface Mount TSOT-26
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

1.87A (Ta)

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Das Folgende sind "DMN10H220LVT-13" -Einziper.

DMN1250UFEL-7

Beschreibung: MOSFET BVDSS: 8V 24V U-QFN1515-1

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN10H170SVTQ-13

DMN10H170SVTQ-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V TSOT26

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN13H750S-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 130V 1A SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN10H220LVT-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 1.87A TSOT26

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN13M9UCA6-7

DMN13M9UCA6-7

Beschreibung: MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN3518-6

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN10H170SK3Q-13

DMN10H170SK3Q-13

Beschreibung: MOSFET N-CHAN 61V 100V TO252

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN10H700S-7

Beschreibung: MOSFET N-CHA 100V 700MA SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN1260UFA-7B

Beschreibung: MOSFET N-CH 12V 0.5A X2DFN-3

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN10H700S-13

Beschreibung: MOSFET NCH 100V 700MA SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN10H220LQ-13

DMN10H220LQ-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN10H170SVT-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN10H170SVT-13

DMN10H170SVT-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN10H220L-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN10H170SVTQ-7

DMN10H170SVTQ-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN1150UFB-7B

Beschreibung: MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN13H750S-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 130V 1A SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN10H220L-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT-23

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN10H220LE-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN10H220LQ-7

DMN10H220LQ-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN1150UFL3-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CHA 12V 2A DFN1310

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

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